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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

総合得点
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Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 12.9
    テスト平均値
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 65
    周辺 -67% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 1,592.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    18200 left arrow 5300
    周辺 3.43 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    3,580.8 left arrow 12.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,592.0 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 18200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-18200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    572 left arrow 2169

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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