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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
65
左右 -117% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,592.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
30
读取速度,GB/s
3,580.8
15.2
写入速度,GB/s
1,592.0
11.8
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
572
2913
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM的比较
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