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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
40
读取速度,GB/s
12.8
17.5
写入速度,GB/s
6.7
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2462
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
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