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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
10.1
18.3
写入速度,GB/s
6.2
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
3529
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
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