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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
12.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
16.0
18.3
写入速度,GB/s
12.1
15.1
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2947
3529
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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