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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
10.1
17.3
写入速度,GB/s
6.2
14.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
3437
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM的比较
CompuStocx (CSX) 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
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