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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
35
读取速度,GB/s
11.9
15.6
写入速度,GB/s
7.6
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
3060
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
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