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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
36
读取速度,GB/s
11.9
15.7
写入速度,GB/s
7.6
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
2971
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
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