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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
11.9
18.2
写入速度,GB/s
7.6
14.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
3496
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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