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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
11.9
14.0
写入速度,GB/s
7.6
7.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
2663
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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