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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
71
左右 63% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
71
读取速度,GB/s
11.9
15.5
写入速度,GB/s
7.6
8.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
1986
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
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