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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
11.9
15.1
写入速度,GB/s
7.6
10.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
3109
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
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Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
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