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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
90
左右 71% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
90
读取速度,GB/s
11.9
15.6
写入速度,GB/s
7.6
8.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
1743
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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