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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
总分
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
28
读取速度,GB/s
15.1
12.0
写入速度,GB/s
10.0
9.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2347
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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