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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
61
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,670.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
40
读取速度,GB/s
3,529.3
14.8
写入速度,GB/s
1,670.4
11.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
517
2709
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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