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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
5,987.5
13.7
写入速度,GB/s
2,160.7
6.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2128
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
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