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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
5,987.5
17.0
写入速度,GB/s
2,160.7
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2938
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
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