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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
5,987.5
17.2
写入速度,GB/s
2,160.7
14.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3189
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
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