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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
5,987.5
14.3
写入速度,GB/s
2,160.7
10.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2408
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
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Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
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