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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
5,987.5
18.5
写入速度,GB/s
2,160.7
14.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3402
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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