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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
43
左右 -19% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
36
读取速度,GB/s
5,987.5
15.9
写入速度,GB/s
2,160.7
12.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2907
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
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