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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
5,987.5
15.2
写入速度,GB/s
2,160.7
13.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3217
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
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