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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
5,987.5
16.9
写入速度,GB/s
2,160.7
13.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3134
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
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