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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
5,987.5
18.0
写入速度,GB/s
2,160.7
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3188
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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