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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
17.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
5,987.5
17.5
写入速度,GB/s
2,160.7
17.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3697
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
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Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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