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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
5,987.5
18.0
写入速度,GB/s
2,160.7
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3531
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
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