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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
5,987.5
16.1
写入速度,GB/s
2,160.7
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2613
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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