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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
48
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
48
读取速度,GB/s
5,987.5
11.6
写入速度,GB/s
2,160.7
8.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2466
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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