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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
43
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
38
读取速度,GB/s
5,987.5
13.8
写入速度,GB/s
2,160.7
9.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2404
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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