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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
100
左右 57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
100
读取速度,GB/s
5,987.5
15.2
写入速度,GB/s
2,160.7
8.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
1479
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
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