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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

总分
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

总分
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Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB 需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    5 left arrow 10
    测试中的平均数值
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB 需要考虑的原因
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 43
    左右 -26% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.2 left arrow 2,160.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    5,987.5 left arrow 10.0
  • 写入速度，GB/s
    2,160.7 left arrow 6.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    957 left arrow 1693

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较

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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
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内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Kingston 9905625-065.A00G 16GB
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内存RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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内存RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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