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Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
比较
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
总分
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
总分
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
66
96
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
4.8
1,675.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
96
读取速度,GB/s
3,881.0
11.0
写入速度,GB/s
1,675.8
4.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
565
1062
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
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