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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
56
左右 -51% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
8800
左右 2.18 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
37
读取速度,GB/s
4,878.3
21.4
写入速度,GB/s
2,475.5
14.3
内存带宽,mbps
8800
19200
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
3448
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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