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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
56
左右 -124% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
8800
左右 1.93 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
25
读取速度,GB/s
4,878.3
15.7
写入速度,GB/s
2,475.5
12.4
内存带宽,mbps
8800
17000
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
2868
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
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G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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