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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
56
左右 -155% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
2,475.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8800
左右 2.18 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
22
读取速度,GB/s
4,878.3
16.5
写入速度,GB/s
2,475.5
9.9
内存带宽,mbps
8800
19200
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
2682
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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