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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
56
左右 -155% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
8800
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
22
读取速度,GB/s
4,878.3
17.2
写入速度,GB/s
2,475.5
13.0
内存带宽,mbps
8800
21300
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
3007
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
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