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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Kingston 9905678-014.A00G 4GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
56
左右 -81% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
8800
左右 2.18 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
31
读取速度,GB/s
4,878.3
16.5
写入速度,GB/s
2,475.5
12.7
内存带宽,mbps
8800
19200
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
2633
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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