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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
56
左右 -14% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,475.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8800
左右 1.93 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
49
读取速度,GB/s
4,878.3
10.5
写入速度,GB/s
2,475.5
8.3
内存带宽,mbps
8800
17000
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
2374
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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