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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
56
左右 -70% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
8800
左右 2.91 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
33
读取速度,GB/s
4,878.3
16.7
写入速度,GB/s
2,475.5
10.9
内存带宽,mbps
8800
25600
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
2876
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
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UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
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