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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
56
左右 -10% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
8800
左右 2.91 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
51
读取速度,GB/s
4,878.3
15.6
写入速度,GB/s
2,475.5
11.8
内存带宽,mbps
8800
25600
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
2687
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology ST51264BA1339.16FK 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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