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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
56
左右 -87% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
8800
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
30
读取速度,GB/s
4,878.3
16.5
写入速度,GB/s
2,475.5
13.3
内存带宽,mbps
8800
21300
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
3040
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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Micron Technology 8G2666CL19 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
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