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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
比较
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
总分
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
总分
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
15.4
15.6
写入速度,GB/s
11.3
13.1
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2696
3043
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB RAM的比较
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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