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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Compara
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
14900
En 1.43 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
21300
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2696
3043
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
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