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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
56
左右 -17% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
2,475.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8800
左右 2.18 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
48
读取速度,GB/s
4,878.3
10.2
写入速度,GB/s
2,475.5
7.4
内存带宽,mbps
8800
19200
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
2190
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
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