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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
13.3
16.0
写入速度,GB/s
8.3
11.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
2917
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
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Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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