RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
2917
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link