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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
56
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
8800
左右 2.18 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
27
读取速度,GB/s
4,878.3
19.6
写入速度,GB/s
2,475.5
16.0
内存带宽,mbps
8800
19200
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
3909
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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