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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
56
左右 -60% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
8800
左右 1.93 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
35
读取速度,GB/s
4,878.3
14.9
写入速度,GB/s
2,475.5
10.2
内存带宽,mbps
8800
17000
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
2768
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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