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Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
比较
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
总分
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
差异
规格
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Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
26
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
22
读取速度,GB/s
13.1
18.0
写入速度,GB/s
7.8
12.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2046
3110
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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