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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
27
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
18
读取速度,GB/s
13.0
20.1
写入速度,GB/s
8.0
19.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
3704
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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